【半导体器件建模仿真与分析教程】[38.69GB]

半导体器件的建模和分析是器件设计的核心环节，熟练掌握其数字化建模与分析方法，能够帮助我们更好、更快地开展器件研究、优化设计和仿真分析工作，提高工作效率，缩短研发周期。

本课程将围绕半导体器件的建模与分析中的核心问题，借助TCAD仿真软件，从物理基础、，器件模型、工艺过程、仿真建模与数据呈现等方面，进行系统性和原理性的讲解，使得学习者能够快速搭建起系统的知识框架，快速掌握其中的核心原理与方法：辅助以有限元建模仿真、版图设计、数据处理等实操技能，以实例进行循序渐进的讲解，使学习者能够快速上手开展工作。

作者尝试用最短的时间帮助听课者建立系统的知识框架与技术能力，不仅追求“会用”软件，还要“懂得”其中蕴含的原理。

├── 0001–1.1-半导体器件建模概述_linux基础与软件安装.mp4

├── 0001–1.2-半导体物理基础简述.mp4

├── 0001–1.3-半导体器件物理简述.mp4

├── 0001–1.4-一维PN结的数值求解.mp4

├── 0001–2-3__TDR文件的后处理与SJ-LDMOS结构建模.mp4

├── 0001–2-4-FinFET_Nanosheet器件建模与随机涨落方法.mp4

├── 0001–2-5-网格划分的基础知识与评价标准.mp4

├── 0001–2.1-二维MOSFET的建模与SWB的基本原理.mp4

├── 0001–2.2-Trench_IGBT的建模与SWB的基本原理（二）.mp4

├── 0001–3-1-MOSFET器件静态与瞬态特性的求解.mp4

├── 0001–3-2.TCL编程与SVISUAL自动化数据处理（一）.mp4

├── 0001–3-3-器件仿真中的物理模型（一）.mp4

├── 0001–3-4_物理模型（二）与温度仿真.mp4

├── 0001–3-5_碰撞电离与击穿特性仿真.mp4

├── 0001–3-6_SPICE模型、混合模式与sdevice编程-一个环振的仿真.mp4

├── 0001–3-7-混合模式（二）-修改SPICE模型参数___SVISUAL动画自动生成.mp4

├── 0001–3-8-缺陷与辐照特性仿真（单粒子效应与总剂量效应）.mp4

├── 0001–3-9-缺陷（二）与辐照特性仿真（总剂量效应）.mp4

├── 0001–3-10-交流小信号分析.mp4

├── 0001–3-11-交流小信号分析（二）.mp4

├── 0001–3-12-模型参数修改与新建材料(Ga2O3_MOSFET与SiGe_Diode).mp4

├── 0001–3-13-隧穿模型与隧穿器件.mp4

├── 0001–3-14-非完全电离_各向异性与SiC_MOSFET仿真.mp4

├── 0001–3-15_极化效应与GaN_HEMT.mp4

├── 0001–3-16_sdevice求解流程、Math设置与收敛性调整思路.mp4

├── 0001–4-1_-半导体工艺技术简述.mp4

├── 0001–工艺仿真提前梳理（临时）.mp4

├── 0002–4-2_版图绘制基础（上）.mp4

├── 0003–4-3-版图绘制（中）-Cell处理与实用小工具.mp4

├── 0004–4-4-版图绘制（下）-派生图层与宏命令编写.mp4

├── 0005–4-5-工艺仿真基础（一）.mp4

├── 0006–4-6-工艺仿真基础（二）-Static与Adaptive网格设置.mp4

├── 0007–4-7-工艺仿真基础（三）(上).mp4

├── 0008–4-8-工艺仿真基础（三）（下）.mp4

├── 0009–4-9基于ICWBEV的工艺仿真，实现纵向和横向设计的完美分离，提高仿真效率.mp4

├── 0010–4-10-基于ICWBEV的工艺仿真（二）与光电二极管仿真.mp4

├── 0011–4-11-sprocess结构生成（刻蚀、淀积）与MGOALS.mp4

├── 0012–4-12_离子注入仿真（上）.mp4